بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
نویسندگان
چکیده
نمونههای پودری نانوکامپوزیت دورگهای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجهی سانتیگراد سنتز شدهاند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگیهای نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بینابسنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونهها با استفاده از روش gps 132 a محاسبه شدند. برپایهی نتایج بدست آمده بالاترین مقدار ثابت دی الکتریک در بسامد 120 کیلوهرتز وابسته به نمونهی ریزنهشته با ترکیب وزنی 28/0 درصد از pvp(35 =k ) و در بسامد 1 کیلوهرتز وابسته به نمونهی ریزنهشته با ترکیب وزنی 56/0 درصد از pvp (26 = k) است. بنابراین در فرکانس 120 کیلوهرتز، نمونهی ریزنهشته با ترکیب وزنی 28/0 درصد از pvp به سبب برخورداری از ضخامت معادل اکسیدی بالاتر، میزان زبری کمتر، خواص اهمی و i-v بهتر و کوچکی اندازه ریزبلورکها (قطر شرِر برابر با nm 45)، و ثابت دی الکتریک بالاتر و در نتیجه جریان نشتی کمتر، به عنوان درگاه دی الکتریک در ترانزیستورهای اثر میدانی توصیه میشوند.
منابع مشابه
بررسی ویژگیهای ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت‌های دورگه‌ی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
Al2O3/PVP nano-hybrid composite samples are synthesized using sol-gel method at 75°C. Weight percent of poly 4-vinyl phenol and aluminum oxide is 0.0, 0.28, 0.56, and 0.84. To study the nano-structural and electrical characteristics, X-ray diffraction, Fourier transfer infrared radiation, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy are used. Dielectric constant of the samples is m...
متن کاملو مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...
متن کاملو مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی nio/pvcبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...
متن کاملبررسی ویژگی های اپتیکی نانوذرات فلزی بیضوی شکل در مقیاس و محیط های دی الکتریک متفاوت
با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربفردی را می‌توانند از خود نشان دهند و بنابراین گزینه‌های بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. بنابراین در این کار، خواص اپتیکی نانوذرات بیضوی شکل فلزی طلا و نقره در محیط‌های دی الکتریک ...
متن کاملبررسی اثر دمای بازپخت بر روی ویژگی¬های ساختاری، الکتریکی و مغناطیسی منگنایت La0.9Sr0.1MnO3
در این پژوهش نمونة منگنایت با فرمول اسمی La0.9Sr0.1MnO3 به¬روش سل ژل و به¬کمک مایکروویو تهیه و در دماهای گوناگون پخت شد. ویژگی¬های ساختاری نمونه¬ها با پراش سنجی پرتوی ایکس (XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) و ویژگی¬های مغناطیسی با اندازه‌گیری پذیرفتاری مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفتند. آنالیز XRD نشان می¬دهد که فاز تقریباً خالص مورد نظر در نمونه¬ها شکل گرفته است. تصاویر میکروسکو...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
بلورشناسی و کانی شناسی ایرانجلد ۲۴، شماره ۴، صفحات ۷۸۹-۷۹۸
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023